|
" Investigation of the Production of Tin Sulfide (SnS) Based Solar Cells "
Soyöz, Sercan
Sarıoğlu, Cevat
Document Type
|
:
|
Latin Dissertation
|
Language of Document
|
:
|
English
|
Record Number
|
:
|
1110358
|
Doc. No
|
:
|
TLpq2485503044
|
Main Entry
|
:
|
Sarıoğlu, Cevat
|
|
:
|
Soyöz, Sercan
|
Title & Author
|
:
|
Investigation of the Production of Tin Sulfide (SnS) Based Solar Cells\ Soyöz, SercanSarıoğlu, Cevat
|
College
|
:
|
Marmara Universitesi (Turkey)
|
Date
|
:
|
2020
|
student score
|
:
|
2020
|
Degree
|
:
|
Master's
|
Page No
|
:
|
77
|
Abstract
|
:
|
Yenilenebilir ve sürdürülebilir enerjiler hayatımızda daha fazla önem kazanmaktadır. Dünyada güneş pilleri, rüzgâr türbinleri, biyokütle enerjisi ve diğer temiz enerji kaynakları hakkında birçok araştırma yayınlanmaktadır. Son yıllarda, SnS ince film güneş hücrelerinde fotovoltaik emici için cazip hale gelmiştir. SnS, kayda değer elektron ve boşluk hareketliliği ve uygun direkt bant boşluğu gibi çeşitli avantajlara sahiptir (Örn: 1.1-1.5 eV). Ayrıca düşük toksisiteye ve üretim kolaylığına sahiptir. Hammadde olarak kalay ve kükürt dünya üzerinde bolca bulunmaktadır. Bu çalışma, ince film SnS üretmek ve SnS'nin yapısal, morfolojik, optik ve foto-elektrokimyasal özelliklerini araştırmayı amaçlamaktadır. SnS iki farklı teknikle üretildi; bunlardan biri elektro-tabakalı Sn tabakasının farklı sıcaklık ve zamanlardaki sülfürizasyondur ve bu tekniğin adı “2-adımlı Üretim” olarak belirlenmiştir. Diğer bir üretim tekniğine, SnCl2 ve Na2S2O3.5H2O reaktifleri ile SnS tabakalarının elektro-çökeltilmesi ve SnS ince film tabakalarının tavlanması olan "1- adımlı Üretim" adı verildi. Tavlama atmosferleri, sıcaklıkları ve süreleri araştırıldı. Üretilen SnS ince filmler, X-ışını difraksiyon ölçümü (XRD) ile karakterize edildi ve tüm örneklerde SnS'nin ana faz olduğu gözlendi. SnS ince filmlerinin morfolojik özellikleri saha emisyon taramalı elektron mikroskobu (FESEM) kullanılarak gerçekleştirildi ve farklı üretim yöntemlerinde üretilen farklı örneklerde farklı SnS yüzey yapıları gözlendi. Optik özellikler, biriktirilmiş SnS ince filmlerin doğrudan bant aralıklarının yaklaşık 1.6 eV'ye sahip olduğunu gösterdi. Tavlanmış numunelerin daha yüksek doğrudan bant aralıklarına sahip olduğu gözlendi. Farklı numuneler için asidik ve bazik elektrolit çözeltilerinde fotoelektrokimyasal ölçümler yapıldı ve açık devre potansiyellerinin (Voc), karanlık ve aydınlık şartlarındaki değişim potansiyellerinin (Vph) ve SnS foto-elektrotlarının kısa devre akımlarının (Jsc) tavlama sonrası arttırıldığına dikkat çekildi. Ek olarak, tavlama atmosferinin SnS ince filminin Jsc'sini arttırmada çok önemli olduğu görülmüştür.
|
Subject
|
:
|
Alternative energy
|
| |