| Document Type
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BL
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| Record Number
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881610
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| Main Entry
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Stiny, Leonhard.
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| Title & Author
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Handbuch Aktiver Elektronischer Bauelemente
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| Edition Statement
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4th ed.
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| Publication Statement
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Wiesbaden :: Vieweg,, 2019.
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| Page. NO
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1 online resource (736 pages)
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| ISBN
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3658247525
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: 9783658247522
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3658247517
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9783658247515
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| Notes
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10 Halbleiterspeicher
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| Contents
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Intro; Vorwort; Inhaltsverzeichnis; 1 Einleitung; 2 Grundlagen der Halbleiter; 2.1 Halbleiter im Periodensystem der Elemente; 2.2 Halbleiter zwischen Nichtleiter und Leiter; 2.3 Aufbau der Atome; 2.4 Direkte und indirekte Halbleiter; 2.5 Eigenleitung; 2.6 Störstellenleitung; 3 Der pn-Übergang; 3.1 Der pn-Übergang ohne äußere Spannung; 3.2 Der pn-Übergang mit äußerer Spannung; 3.3 Durchbruchmechanismen beim pn-Übergang; 3.4 Schaltverhalten des pn-Übergangs; 3.5 Gesamtkennlinie des pn-Übergangs; 3.6 Halbleiter-Metall-Übergang; 4 Halbleiterdioden; 4.1 Ausführung; 4.2 Aufbau
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4.3 Elektrische Funktion4.4 Bauarten; 4.5 Verhalten einer Diode; 4.6 Temperaturabhängigkeit der Diodenparameter; 4.7 Kenn- und Grenzdaten von Dioden; 4.8 Auszüge aus Datenblättern von Dioden; 4.9 Herstellungsmethoden für pn-Übergänge; 4.10 Aufbau von Halbleiterdioden; 4.11 Diodentypen; 5 Bipolare Transistoren; 5.1 Definition und Klassifizierung von Transistoren; 5.2 Grundsätzlicher Aufbau des Transistors; 5.3 Richtungen von Strömen und Spannungen; 5.4 Betriebszustände (Arbeitsbereiche); 5.5 Signaldynamik und Signalgröße; 5.6 Funktionsweise; 5.7 Die drei Grundschaltungen des Bipolartransistors
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5.8 Einsatz als Verstärker oder Schalter5.9 Kennlinien des Transistors; 5.10 Durchbruchspannungen und Grenzströme; 5.11 Maximale Verlustleistung; 5.12 Erlaubter Arbeitsbereich; 5.13 Rauschen beim Bipolartransistor; 5.14 Beschreibung durch Gleichungen; 5.15 Abhängigkeiten der Stromverstärkung; 5.16 Dynamisches Schaltverhalten des Bipolartransistors; 5.17 Modelle und Ersatzschaltungen des Bipolartransistors; 5.18 Aufbau und Herstellungsverfahren von Bipolartransistoren; 5.19 Hetero-Bipolartransistor (HBT); 5.20 Darlington-Transistor; 6 Feldeffekttransistoren; 6.1 Allgemeine Eigenschaften
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6.2 Funktionsprinzip und Klassifikation6.3 Die drei Grundschaltungen des Feldeffekttransistors; 6.4 Prinzipieller Aufbau und Wirkungsweise des Sperrschicht-FET; 6.5 Prinzipieller Aufbau und Wirkungsweise des MOSFETs; 6.6 Modelle und Ersatzschaltungen des Feldeffekttransistors; 6.7 Grenzdaten und Sperrströme; 6.8 Der FET als Schalter; 6.9 Rauschen beim Feldeffekttransistor; 6.10 Spezielle Bauformen von Feldeffekttransistoren; 6.11 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT); 7 Thyristoren; 7.1 Einteilung der Thyristoren; 7.2 Einrichtungs-Thyristortriode (Thyristor)
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7.3 Spezielle Bauformen des Thyristors8 Operationsverstärker; 8.1 Allgemeines, Überblick; 8.2 Schaltsymbol, Anschlüsse; 8.3 Ausführungsformen; 8.4 Betriebsspannungen; 8.5 Operationsverstärker-Typen; 8.6 Der normale Operationsverstärker; 8.7 Der ideale Operationsverstärker; 8.8 Interner Aufbau von Operationsverstärkern; 8.9 Tipps zum praktischen Einsatz von Operationsverstärkern; 9 Grundlagen integrierter Halbleiterschaltungen; 9.1 Allgemeines zu integrierten Schaltungen; 9.2 Kenngrößen digitaler Schaltkreise; 9.3 Logikbaureihen; 9.4 Bipolare Schaltkreisfamilien; 9.5 MOS-Schaltkreisfamilien
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| LC Classification
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TK7800-8360TK7874-78
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