This page uses JavaScript and requires a JavaScript enabled browser.Your browser is not JavaScript enabled.
مرکز و کتابخانه مطالعات اسلامی به زبان های اروپایی
منو
درگاههای جستجو
مدارک
جستجوی پیشرفته
مرور
جستجو در سایر کتابخانه ها
مستندات
جستجوی پیشرفته
مرور
منابع دیجیتال
تمام متن
اصطلاحنامه
درختواره
پرسش و پاسخ
سوالات متداول
پرسش از کتابدار
پیگیری پرسش
ورود
ثبت نام
راهنما
خطا
رکورد قبلی
رکورد بعدی
"
Containing a contagion :
"
Cook, Stephen Sherrard
Document Type
:
AL
Record Number
:
900647
Doc. No
:
LA30p742jd
Title & Author
:
Electrical properties of inalp native oxides for metal-oxide-semiconductor device applications [Article]\ Cao, Y.Zhang, J.Li, X.Kosel, T.H.Fay, P.Hall, D.C.Zhang, X.B.Dupuis, R.D.Jasinski, J.B.Liliental-Weber, Z.
Date
:
2004
Abstract
:
Data are presented on the insulating properties and capacitance-voltage (CV) characteristics of metal-oxide-semiconductor (MOS) device-thickness (below approx. 100 nm) native oxides formed by wet thermal oxidation of thin InAlP epilayers lattice matched to GaAs. Low leakage current densities of J=1.4 x 10-9 A/cm2 and J=8.7 x 10-11 A/cm2 are observed at an applied field of 1 MV/cm for MOS capacitors fabricated with 17 nm and 48 nm oxides, respectively. TEM images show that the In-rich interfacial particles which exist in 110 nm oxides are absent in 17 nm oxide films. Quasi-static capacitance-voltage measurements of MOS capacitors fabricated on both n-type and p-type GaAs show that the InAlP oxide-GaAs interface is sufficiently free of traps to support inversion, indicating an unpinned Fermi level. These data suggest that InAlP native oxides may be a viable insulator for GaAs MOS device applications.
https://lib.clisel.com/site/catalogue/913528
کپی لینک
پیشنهاد خرید
پیوستها
عنوان :
نام فایل :
نوع عام محتوا :
نوع ماده :
فرمت :
سایز :
عرض :
طول :
0cr613cf_32871.pdf
0cr613cf.pdf
پایان نامه لاتین
متن
application/pdf
701.60 KB
85
85
نمایش
نظرسنجی
نظرسنجی منابع دیجیتال
1 - آیا از کیفیت منابع دیجیتال راضی هستید؟
X
کم
متوسط
زیاد
ذخیره
پاک کن